基本情况：
教育经历：
2011～2015：北京航空航天大学，应用物理，学士
2015～2021：北京航空航天大学，凝聚态物理，博士
工作经历：
2022～2026：香港大学，博士后
2026～至今：北京航空航天大学，物理学院，副教授
学术兼职：
Nature 子刊、PRL、PRB 等期刊审稿人。
主讲课程：
本科生课程：基础物理实验、大学物理
研究方向：
主要从事凝聚态物理与计算材料物理研究，聚焦拓扑量子物态、莫尔材料及其量子输运性质。
教学科研成果：
1. 高阶拓扑物态与材料预测
系统研究了石墨炔类材料中的高阶拓扑量子态，预言单层石墨炔为二维二阶拓扑绝缘体，并将相关研究推广至三维体系，发现 ABC 堆垛石墨炔中的二阶实节线半金属态。同时发展了适用于二维高阶拓扑绝缘体的 Wilson-loop 拓扑不变量计算方法。
代表性论文：
· C. Chen, X. T. Zeng, Z. Chen, Y. X. Zhao, X. L. Sheng, and S. A. Yang, “Second-Order Real Nodal-Line Semimetal in Three-Dimensional Graphdiyne,” Phys. Rev. Lett. 128, 026405 (2022).
· C. Chen, W. Wu, Z. M. Yu, Z. Chen, Y. X. Zhao, X. L. Sheng, and S. A. Yang, “Graphyne as a Second-Order and Real Chern Topological Insulator in Two Dimensions,” Phys. Rev. B 104, 085205 (2021).
· X. L. Sheng, C. Chen, H. Liu, Z. Chen, Y. X. Zhao, Z. M. Yu, and S. A. Yang, “Two-Dimensional Second-Order Topological Insulator in Graphdiyne,” Phys. Rev. Lett. 123, 256402 (2019).
2. 磁性与手性拓扑物态
建立了磁性一阶拓扑绝缘体与高阶拓扑绝缘体之间的统一理论框架，提出利用磁近邻效应在二维异质结中诱导二阶拓扑态的普适方案。进一步揭示了三维转角结构中由 Umklapp 散射和手性层间耦合诱导的无自旋拓扑手性。
代表性论文：
· C. Chen, X. T. Zeng, and W. Yao, “Spinless Topological Chirality from Umklapp Scattering in Twisted 3D Structures,” Rep. Prog. Phys. 88, 018001 (2025).
· Y. X. Zhao, C. Chen, X. L. Sheng, and S. A. Yang, “Switching Spinless and Spinful Topological Phases with Projective PT Symmetry,” Phys. Rev. Lett. 126, 196402 (2021).
· C. Chen, Z. Song, J. Z. Zhao, Z. Chen, Z. M. Yu, X. L. Sheng, and S. A. Yang, “Universal Approach to Magnetic Second-Order Topological Insulator,” Phys. Rev. Lett. 125, 056402 (2020).
3. 莫尔体系中的拓扑与非线性输运
研究了转角双层体系中界面耦合、量子几何与对称性引起的非常规输运效应，发现时间反演对称保留的层霍尔效应，并预言由电场和磁场共同驱动的交叉非线性动力学霍尔效应。此外，研究了转角双层石墨烯中 Umklapp 散射产生的拓扑畴壁态。
代表性论文：
· J. Li, C. Chen, and W. Yao, “Topological Domain-Wall States from Umklapp Scattering in Twisted Bilayer Graphene,” Nano Lett. 25, 17025–17031 (2025).
· C. Chen, D. Zhai, C. Xiao, and W. Yao, “Crossed Nonlinear Dynamical Hall Effect in Twisted Bilayers,” Phys. Rev. Res. 6, L012059 (2024).
· D. Zhai, C. Chen, C. Xiao, and W. Yao, “Time-Reversal Even Charge Hall Effect from Twisted Interface Coupling,” Nat. Commun. 14, 1961 (2023).
