Nuclear and Particle Physics Colloquium 141

(核与粒子物理学术报告会141)

Place: Shahe Campus C826

Time:2025年4月23日14:00

Title:高通量、单能加速器中子源技术及中子物理基础研究

Speaker: 韦峥，兰州大学核科学与技术学院教授

 Abstract:

中子物理与中子应用技术是核能与核技术应用的基础，在服务国家重大战略需求和国民经济方面具有重要的意义。中子源作为产生中子的装置，对中子物理基础研究和中子应用技术发展均至关重要。兰州大学成功研制了基于倍压型高压加速器的强流D-D/D-T中子发生器，分别产生2.5 MeV、14 MeV单能中子，且D-T中子产额稳定运行在3×10^12 n/s水平，核心指标在国内在运同类型装置中处于领先地位；成功研制了紧凑型D-D/D-T中子发生器，两个型号（CNG08和CNG09）的紧凑型中子发生器外形长度998 mm、直径234-280mm， D-D中子产额分别达到了6.8×10^8 n/s和1.2×10^9 n/s，D-T中子产额分别达到了2.7×10^10 n/s和1.6×10^11 n/s，实现了真正意义上的小型化，指标与国际上最先进的美国Adelphi公司产品（长度1000 mm、D-T中子产额1×1011 n/s）相当，技术水平国内领先，并进入了国际先进行列。依托高通量、单能加速器中子源重点开展中子诱发锕系重核裂变物理基础研究、透射成像技术研发、中子无损检测技术研发等工作，服务核能、航天航空、矿产工业等领域的发展。

About the Author:

韦峥，男，兰州大学核科学与技术学院教授，博士生导师，中子应用技术教育部工程研究中心副主任。2016年在兰州大学获得粒子物理与原子核物理博士学位，留校工作至今。主持国家自然科学基金重点项目、甘肃省、企事业单位科研项目10余项；第一/通讯作者发表SCI论文40余篇；获批专利及软件著作权18件，其中，3件专利完成科技成果转化；荣获甘肃省“飞天学者（特聘教授）”荣誉称号。主要从事D-D/D-T中子发生器技术研究、中子物理基础研究及中子应用技术研发等工作。